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GB/T 20228-2021 砷化镓单晶 砷化镓芯片测试 砷化镓检测项目介绍

砷化镓(GaAs)作为一种关键的半导体材料,因其在电子器件和光电器件中的广泛应用而备受关注。为了规范砷化镓单晶的质量和性能,中国国家标准化管理委员会发布了GB/T 20228-2021《砷化镓单晶》国家标准。本文将详细介绍这一标准的内容及其在砷化镓检测 中的重要性。

标准的制定背景

砷化镓单晶的质量直接关系到电子器件的性能。过去,由于缺乏统一的标准,市场上砷化镓单晶产品质量参差不齐,给生产者和消费者带来困扰,也不利于行业的健康发展。因此,GB/T 20228-2021的制定对于统一质量评定标准、提高产品质量、促进行业进步具有重要意义。

标准的主要内容包括

术语和定义:标准对砷化镓单晶相关的术语和定义进行了规定,确保了行业内的沟通和理解的统一。

规格与评定:详细介绍了砷化镓单晶的规格要求和评定方法,包括物理性能、化学性能、晶体结构、晶体缺陷等方面的要求。

技术要求与测试方法:列出了砷化镓单晶的技术要求,并提供了相关的测试方法,涵盖外观要求、尺寸和几何参数、表面质量、导电性能、光学性能等方面。

样品制备:对砷化镓单晶样品的制备过程提出了要求,包括样品尺寸、切割技术和抛光方法等,以确保样品的代表性和可重复性

检测项目

检测样品:砷化镓外延片、单晶、晶片、载流子等。

检测项目:外形尺寸、表面质量、偏离度检测、切口测试、电学性能检测、载流子浓度测试、电阻率检测、截面电阻率不均匀性、迁移率测试、位错密度、电学性能、导电类型、霍尔迁移率、电阻率检测、位错密度检测等。

检测标准

GB/T 8757-2006砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法

GB/T 8758-2006砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 20228-2021砷化镓单晶

GB/T 25075-2010太阳能电池用砷化镓单晶

SJ 3242-1989砷化镓外延片

SJ 20714-1998砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

SJ/T 11497-2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法

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发布时间:2024-11-12
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